设备型号：Omega LPX Dsi
用途：主要用于高深宽比硅结构的刻蚀。
技术指标：
样品尺寸：4 inch， 向下兼容（需贴在4inch硅衬片上）；
基底刻蚀温度：0℃-20℃可调；刻蚀气体：C4F8、SF6、Ar、O2；可刻蚀材料包括：Si；刻蚀深宽比：50：1；刻蚀角度：90±1°；侧壁粗糙度：小于50nm。
