设备型号：SI500D
用途：主要用于SiO2、SiNx、SiC薄膜沉积。
技术指标：沉积厚度：2 μm以下可一次完成；
气体：CF4、O2、Ar、SiH4、NH3；
功率：最高1200W；
最高温度： 310℃。
