设备型号：SENTECH SI 500 ICP
用途：
主要用于半导体、微纳加工和材料研究中的高精度等离子刻蚀工艺。该设备采用感应耦合等离子体 ICP 源，可实现低离子能量、低损伤刻蚀和纳米结构加工，适用于 Si、LiN、SiC、SiGe、石英、玻璃、介质材料、III-V / II-VI 族化合物半导体以及部分金属材料的刻蚀工艺开发。
技术指标：
上电极射频源最大功率1100W；下电极射频源最大功率600W;
上下电极射频发生器频率;13.56MHz;
样品尺寸：样品台尺寸为8英寸，可下兼容；
基底温度：-20 ℃–200 ℃可调；
本底真空：＜7.5E-7 mbar
真空室漏率：2E-4 mbar·L/s；
